任开琳 副教授

邮箱：renkailin@shu.edu.cn

赌博正规的十大网站(中国)有限公司

导师介绍：

从事半导体功率器件/新型显示器件与集成光电子芯片/集成电路先进工艺节点器件等领域的研究，近五年在IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics等微电子领域权威期刊上发表SCI论文10篇、EI论文15篇，在国际会议上报告研究成果5次。

主持国家自然科学基金项目一项，参与了上海市“科技创新行动计划”高新技术领域项目、新加坡教育部创新研究基金等多个纵向项目及海外企业横向项目。2021年12月入选上海市海外高层次人才引进计划。

招收微固、电子信息、光电子、应用物理、材料等相关专业背景的硕士研究生。

讲授课程：本科《信号与系统基础》、《功率半导体器件基础》；研究生《微电子器件原理》、《化合物半导体器件》

研究方向：

宽禁带半导体功率器件及功率集成芯片，Micro-LED微显示器件及其驱动集成，集成电路先进工艺节点器件（GAAFET）的建模仿真与微纳制造工艺

教育背景：

2021年博士毕业于新加坡国立大学微电子学专业

2015年本科毕业于哈尔滨工业大学电气工程及其自动化专业

工作经历：

2021年12月-至今 赌博正规的十大网站(中国)有限公司副教授

2021年4月-2021年11月 赌博正规的十大网站(中国)有限公司讲师，硕士生导师，担任2020级微电子科学与工程专业1班班导师

科研成果及获奖情况：

近五年在IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics等微电子领域权威期刊上发表SCI论文10篇、EI论文15篇，在国际会议上报告研究成果5次。

主持国家自然科学基金项目一项，参与了上海市“科技创新行动计划”高新技术领域项目、新加坡教育部创新研究基金等多个纵向项目及海外企业横向项目。

论文Physical mechanism of fin-gate AlGaN/GaN MIS-HEMT: Vth model获IEEE WiPDA student travel award（2016）。

获第五届、第六届全国大员工集成电路创新创业大赛优秀指导教师奖，公司第五届本科生学术论坛优秀指导教师奖。2021年指导团队获第五届全国大员工集成电路创新创业大赛华东赛区三等奖；2022年指导团队获第六届全国大员工集成电路创新创业大赛全国总决赛三等奖、华东分赛区一等奖。

近五年代表性成果：

1. Kailin Ren, Yung C. Liang, and Chih-Fang Huang, “Compact Physical Models for AlGaN/GaN MIS-FinFET on Threshold Voltage and Saturation Current,” IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (4): 1348-1354, 2018.

2. Kailin Ren, Yung C. Liang, and Chih-Fang Huang, “Physical Mechanism on the Suppression of Dynamic Resistance Degradation by Multi-Mesa-Channel in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors,” Applied Physics Letters, 115: 262101-1-262101-5, 2019.

3. Yue Liu, Kailin Ren(共同第一作者), and Kaiyang Zeng, "Electrostatic force evolution during the tip induced ferroelectric domain switching," Journal of Applied Physics,130, 194101, 2021.

4. Kailin Ren, Yung C. Liang, and Chih-Fang Huang, “Physical mechanism of fin-gate AlGaN/GaN MIS-HEMT: Vth model,” Proceedings of 2016 IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 319-323, 2016.

5. Kailin Ren, Yung C. Liang, Chih-Fang Huang, and Xiao Gong, “Modelling of Trap Mechanism in AlGaN/GaN Fin-HEMT Current Collapse,” 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2019.

6. Zhuang Wu, Kailin Ren(通讯作者),Xuesong Zhang, Yuan An, Luqiao Yin, Xiuzhen Lu,Aiying Guo, and Jianhua Zhang,"Physical Mechanisms on the Size-effect in GaN-based Micro-LEDs", accepted by Micro and Nanostructures.
   

7. Yuan An, Kailin Ren(通讯作者), Luqiao Yin, and Jianhua Zhang,"Modeling on Monolithic Integration Structure of AlGaN/InGaN/GaN High Electron Mobility Transistors and LEDs: 2DEG Density and Radiative Recombination", accepted by Electronics.
   

8. Yuan An, Kailin Ren(通讯作者),Xueying Xiu, Zebin Xu, Zhuang Wu, Luqiao Yin, and Jianhua Zhang，“A novel Monolithically Integrated structure of GaN-based Micro-LED and its driver HEMT，” 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors &The 18th China International Forum on Solid State Lighting (IFWS & SSLCHINA 2021)，2021.

9. Lingxi Xia, Kailin Ren, Chih-Fang Huang, and Yung C. Liang,“Fin-shaped AlGaN/GaN high electron mobility magnetoresistive sensor device，”Applied Physics Letters,118,162104,2021.

10. Yung C. Liang,Kailin Ren, Soo Jin Chua, Zeheng Wang and Xiao Gong, “High Sensitivity Hall-Effect Sensor on the AlGaN/GaN Fin-HEMT Structure,” 50th International Conference on Solid State Devices and Materials, 2018.

11. Chih-Yao Chang, Yi-Chen Li,Kailin Ren, Chif-Fang Huang, and Yung C. Liang, “An AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with a Built-In Light Emitter Using Radiative Recombination of Two-Dimensional Electron Gas and Holes,” IEEE Journal of the Electron Devices Society, 8: 346-349, 2020.

12. 作为第一发明人申请的专利《一种改进的高电子迁移率发光晶体管》已进入实审阶段，申请号/专利号：202111331707.7

13. 作为第一发明人申请的专利《一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法》已进入实审阶段，申请号/专利号：202210219208.7